温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB19DP10NMATMA1-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-12A；导通电阻：200(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-100V；-12A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB19DP10NMATMA1-VB
- 商品编号
- C47993818
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC 转换器
相似推荐
其他推荐
- IPB180N10S402ATMA1-VB
- IPB120N10S405ATMA1-VB
- IPB100N10S305ATMA1-VB
- IPB083N15N5LF-VB
- IPB073N15N5-VB
- IPB065N15N3GATMA1-VB
- IPB060N15N5ATMA1-VB
- IPB044N15N5ATMA1-VB
- IPB044N15N5-VB
- IPB025N10N3GE8187ATMA1-VB
- IPB017N10N5LF-VB
- IPB017N10N5ATMA1-VB
- IPB017N10N5-VB
- IAUC90N10S5N062-VB
- IAUC100N10S5N040-VB
- IAUC100N10S5L040-VB
- HT8KE5TB1-VB
- FX6ASJ-2-VB
- FQB8P10TM-VB
- FDWS86068-F085-VB
- FDP3672-VB