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HT8KE5TB1-VB
N+N沟道；电压：100V；电流：12.1A；导通电阻：71(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)-B；N+N—Channel沟道；100V；12.1A；RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HT8KE5TB1-VB
- 商品编号
- C47993835
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 最高结温150°C
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器