温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB0260N1007L-VB
N沟道；电压：100V；电流：250A；导通电阻：1.2(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263-7L；N—Channel沟道；100V；250A；RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB0260N1007L-VB
- 商品编号
- C47993854
- 商品封装
- D2PAK(TO-263-7L)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门-服务器-直流/直流
相似推荐
其他推荐
- EKI10126-VB
- DMTH10H005SCT-VB
- CSD19532KTTT-VB
- CSD16327Q3T-VB
- BUK9520-100B-VB
- BUK9520-100A-VB
- BSZ036NE2LSATMA1-VB
- BSZ033NE2LS5ATMA1-VB
- BSZ033NE2LS5-VB
- BSZ018NE2LSI-VB
- BSZ018NE2LS-VB
- BSZ017NE2LS5I-VB
- BSZ011NE2LS5IATMA1-VB
- BSC123N10LS G-VB
- BSC050N10NS5-VB
- AUIRFS4410Z-VB
- AUIRFS4310TRL-VB
- AUIRFR5410TRL-VB
- AUIRFR5410-IR-VB
- AUIRF3710ZSTRL-VB
- AONS66909-VB