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FDB075N15A-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDB075N15A-VB

N沟道;电压:150V;电流:140A;导通电阻:5.6(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;150V;140A;RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用SGT技术;
商品型号
FDB075N15A-VB
商品编号
C47993852
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
编带
商品毛重
1.85克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)128A
导通电阻(RDS(on))8.4mΩ@7.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 雷电功率MOSFET
  • 最高结温175°C
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 材料分类:符合RoHS标准、无卤

应用领域

  • 电源:
  • 不间断电源
  • 交流/直流开关模式电源
  • 照明
  • 同步整流
  • 直流/直流转换器
  • 电机驱动开关
  • 直流/交流逆变器
  • 太阳能微型逆变器
  • D类音频放大器
  • 电池管理

数据手册PDF