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FDD4N60NZ-VB
N沟道；电压：650V；电流：4A；导通电阻：2200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD4N60NZ-VB
- 商品编号
- C47993849
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑CPU内核
- 高端开关
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