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IPB065N15N3GATMA1-VB
N沟道；电压：150V；电流：160A；导通电阻：5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263-7L；N—Channel沟道；150V；160A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB065N15N3GATMA1-VB
- 商品编号
- C47993824
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 结温 175 °C
- 超结沟槽技术（SGT）功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
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