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IRFR430ATRPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR430ATRPBF-VB

N沟道;电压:650V;电流:4A;导通电阻:2200(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Plannar技术;
商品型号
IRFR430ATRPBF-VB
商品编号
C47993797
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))2.1Ω@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))5V@250A
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)1.417nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)177pF

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 最高结温150 °C
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

数据手册PDF