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IPG20N10S4L-22A-VB
N+N沟道；电压：100V；电流：30A；导通电阻：18(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)-B；N+N—Channel沟道；100V；30A；RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPG20N10S4L-22A-VB
- 商品编号
- C47993809
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换
- 初级侧开关
- 同步整流
- 工业领域
- 48V电池监测
- LED驱动器
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