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IPP04CN10NG-VB
N沟道；电压：100V；电流：120A；导通电阻：5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；120A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP04CN10NG-VB
- 商品编号
- C47993806
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.025nF |
商品特性
- 雷霆功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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