IRF9530STRLPBF-VB
P沟道;电压:-100V;电流:-12A;导通电阻:200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道;-100V;-12A;RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9530STRLPBF-VB
- 商品编号
- C47993801
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 结温175 °C
- 沟槽技术功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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