IRFR5410TRLPBF-VB
P沟道;电压:-100V;电流:-8.8A;导通电阻:250(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-100V;-8.8A;RDS(ON)=250(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR5410TRLPBF-VB
- 商品编号
- C47993796
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 中间直流/直流电源中的有源钳位
- 照明应用的H桥高端开关
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