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IRFR5410TRLPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR5410TRLPBF-VB

P沟道;电压:-100V;电流:-8.8A;导通电阻:250(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-100V;-8.8A;RDS(ON)=250(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
商品型号
IRFR5410TRLPBF-VB
商品编号
C47993796
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.8A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)34.8nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 中间直流/直流电源中的有源钳位
  • 照明应用的H桥高端开关

数据手册PDF