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ISC230N10NM6-VB
N沟道；电压：100V；电流：30A；导通电阻：21(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；100V；30A；RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ISC230N10NM6-VB
- 商品编号
- C47993791
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新型封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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