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VBQA4658
P+P沟道；电压：-60V；电流：-11A；导通电阻：60(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)-B；P+P—Channel沟道；-60V；-11A；RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA4658
- 商品编号
- C47993657
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 快速开关
- 提供绿色环保器件
- 改善dv/dt能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护
- 电池供电系统
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备