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STL8N10F7-VB

N沟道；电压：100V；电流：30A；导通电阻：21(mΩ)

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描述: 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；100V；30A；RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用SGT技术；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: STL8N10F7-VB
商品编号: C47993727
商品封装: DFN5x6-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数

BMW65N028UA1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点。