SI7922DN-T1-E3-VB
N+N沟道;电压:100V;电流:12.1A;导通电阻:71(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3)-B;N+N—Channel沟道;100V;12.1A;RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7922DN-T1-E3-VB
- 商品编号
- C47993746
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门功能-服务器-直流/直流转换
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