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PMPB29XPEA-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：20(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；P—Channel沟道；-20V；-10A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMPB29XPEA-VB
- 商品编号
- C47993758
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式设备-负载开关-电池开关-充电器开关
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