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NTB5D0N15MC-VB
N沟道；电压：150V；电流：140A；导通电阻：5.6(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTB5D0N15MC-VB
- 商品编号
- C47993779
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 雷霆功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 100% Rq 和 UIS 测试
- N 沟道 MOSFET
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