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IXTH24P20-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH24P20-VB

P沟道;电压:-100V;电流:-21A;导通电阻:200(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;TO247;P—Channel沟道;-100V;-21A;RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
商品型号
IXTH24P20-VB
商品编号
C47993787
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)180W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)61nC
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)590pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定
  • P沟道
  • 隔离式中心安装孔
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 易于并联
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF