MCT08P10Y-TP-VB
P沟道;电压:-100V;电流:-3A;导通电阻:200(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT223;P—Channel沟道;-100V;-3A;RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MCT08P10Y-TP-VB
- 商品编号
- C47993781
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363636克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 819pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备-负载开关-电池开关-充电器开关
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