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NTLJS4114NTAG-VB
N沟道；电压：30V；电流：10A；导通电阻：17(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；N—Channel沟道；30V；10A；RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTLJS4114NTAG-VB
- 商品编号
- C47993774
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关
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