NVTFWS030N06CTAG-VB
N沟道;电压:60V;电流:30A;导通电阻:28(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);N—Channel沟道;60V;30A;RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NVTFWS030N06CTAG-VB
- 商品编号
- C47993762
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门应用-服务器-直流/直流转换器
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