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STH310N10F7-6-VB
N沟道 耐压:100V 电流:250A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263-7L；N—Channel沟道；100V；250A；RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STH310N10F7-6-VB
- 商品编号
- C47993734
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 结温 175 °C
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
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