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VBGE1102N
N沟道；电压：100V；电流：35A；导通电阻：21(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；35A；RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGE1102N
- 商品编号
- C47993662
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC