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VBE15R05

N沟道；电压：650V；电流：4A；导通电阻：2200(mΩ)

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描述: 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: VBE15R05
商品编号: C47993667
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.62克(g)

商品参数

BMB80N180C1是一款功率MOSFET，采用了百思特的先进超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点。

~~- 超快体二极管。-极低的品质因数(FOM),带来极低的损耗。-极高的换向鲁棒性。-无卤且符合RoHS标准。