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VBGE1105
N沟道；电压：100V；电流：85A；导通电阻：6(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；85A；RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGE1105
- 商品编号
- C47993661
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMD65N360Z1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
~~- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低。-具备极高的换向耐用性。-符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)-正弦脉宽调制(SPWM)-液晶电视(LCD TV)-照明-不间断电源(UPS)