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VBQA3151M
N+N沟道；电压：150V；电流：8A；导通电阻：90(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)-B；N+N—Channel沟道；150V；8A；RDS(ON)=90(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA3151M
- 商品编号
- C47993658
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
15N10-TD采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 15A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 95mΩ（典型值：86mΩ）
- 栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 110mΩ（典型值：90mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装设计，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源