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VBGQA1805
N沟道；电压：85V；电流：80A；导通电阻：4.5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；85V；80A；RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA1805
- 商品编号
- C47993659
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- 负载开关
- DC-DC转换器