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IR2110S-MNS
半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- 700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IR2110S-MNS
- 商品编号
- C47967293
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 40uA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
IR2110是一款采用高低压兼容工艺的高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，可在单芯片内集成高侧和低侧栅极驱动电路。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出，并具备大电流脉冲输出能力。浮动通道设计可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压达700V。芯片内部集成了高低侧关断逻辑，可在故障条件下实现通断控制。该器件采用宽体DIP-14封装，工作温度范围为-40℃至125℃。
应用领域
- 通用逆变器
- 半桥和全桥转换器
- 高密度开关电源
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器
- UPS