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MLG60T65FDK

IGBT 60A 650V

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描述
IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=60A
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MLG60T65FDK
商品编号
C47967302
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)375W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)120A
集电极脉冲电流(Icm)240A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4.7V@1mA
栅极电荷量(Qg)137nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)3.036nF
输出电容(Coes)122pF
反向传输电容(Cres)31pF
开启延迟时间(Td(on))37ns
关断延迟时间(Td(off))130ns
导通损耗(Eon)1.39mJ
关断损耗(Eoff)1.06mJ
反向恢复时间(Trr)69ns
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

MLG60T65FDK采用先进的沟槽场截止技术,具有低集电极-发射极饱和电压、优化的开关性能以及低栅极电荷的特点。该IGBT适用于光伏、不间断电源、升压变换器及高开关频率应用。

商品特性

  • 快速开关
  • 低集电极-发射极饱和电压
  • 正温度系数
  • 快速恢复反并联二极管
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 光伏变流器
  • 不间断电源
  • 升压变换器

数据手册PDF