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MLG60T65FDK
IGBT 60A 650V
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- 描述
- IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=60A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG60T65FDK
- 商品编号
- C47967302
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输出电容(Coes) | 122pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 240A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.036nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.39mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.06mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 69ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 31pF |