MLG75N60FDK
IGBT 75A 600V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=75A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG75N60FDK
- 商品编号
- C47967303
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 468W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 156nC@520V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.979nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 187pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 36pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.25mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 36ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MLG75N60FDK采用先进的沟槽场终止技术,具有低饱和压降、优化的开关性能和低栅极电荷特性。该IGBT适用于光伏、不间断电源、升压和高开关频率应用。
商品特性
- 快速开关
- 低饱和压降
- 正温度系数
- 快速恢复反并联二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 光伏变换器
- 不间断电源
- 升压


