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IR2113-MNS
半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IR2113-MNS
- 商品编号
- C47967296
- 商品封装
- DIP-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 40uA | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
IR2113-MNS是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺实现高、低侧栅驱动电路的单芯片集成。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具备大电流脉冲能力。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。芯片内部集成高低侧关断逻辑，可用于故障条件下的通断控制。该器件采用宽体DIP-14封装，工作温度范围为-40℃至125℃。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压可达700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVS/dt耐受能力可达±50 V/nsec
- VS负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围10V~20V
- 宽温度范围-40~125°C
- 集成欠压锁定功能
- 周期性边缘触发关断逻辑
- 输入输出同相位
- 逻辑和电源地±5V偏移
- 芯片开通关断延时特性：Ton/Toff =130ns/130ns，高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
- 高、低侧欠压锁定电路：欠压锁定正向阈值8.9V，欠压锁定负向阈值8.2V
- 符合RoSH标准，采用DIP-14封装
应用领域
- 通用逆变器
- 交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
- 用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器
- UPS