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MLG40T65FDK
IGBT 40A 650V
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- 描述
- IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=40A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG40T65FDK
- 商品编号
- C47967301
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.237nF@0V,25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 600uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 380uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 38ns |