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10N60L-TF1-T
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- UTC 10N60是一款高压大电流功率MOSFET，其设计具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N60L-TF1-T
- 商品编号
- C484512
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
商品概述
UTC 10N60是一款高压大电流功率MOSFET，具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用。
商品特性
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 0.75 Ω
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥式电路