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4N65KG-TN3-R
4.0A、650V、N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 4N65K是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低，且拥有高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N65KG-TN3-R
- 商品编号
- C487749
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.72Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
UTC 4N65K是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2.2 A条件下，RDS(ON) < 2.5 Ω
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥接电路