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4N100L-TF1-T
1个N沟道 耐压:1kV 电流:4A
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- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N100L-TF1-T
- 商品编号
- C487750
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.339克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 4N100是一款N沟道MOSFET，它采用UTC的先进技术，为客户提供高开关速度和高击穿电压。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 2A条件下，RDS(ON) < 3.5Ω
- 高开关速度
- 高击穿电压