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UT3400G-AE3-R
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- UT3400是一款N沟道增强型MOSFET，可为客户提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件可在2.5V的低栅极电压下工作。UT3400针对负载开关或脉宽调制（PWM）等应用进行了优化
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UT3400G-AE3-R
- 商品编号
- C487760
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 823pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
UTC UT3400是一款N沟道增强型MOSFET，可为客户提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件可在2.5V的低栅极电压下工作。 UTC UT3400针对负载开关或PWM等应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5.8 A条件下,RDS(ON) ≤ 28 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.0 A条件下,RDS(ON) ≤ 33 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 4.0 A条件下,RDS(ON) ≤ 52 mΩ
- SOT - 23 (EIAJ SC - 59)
- SOT - 23 - 3 (JEDEC TO - 236)
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