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2P50G-TN3-R
1个P沟道 耐压:500V 电流:2A
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- 描述
- UTC 2P50 是一款 P 沟道 MOS 场效应晶体管。它采用 UTC 的先进技术，为客户提供高开关速度和最小导通电阻。UTC 2P50 适用于高压开关应用
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2P50G-TN3-R
- 商品编号
- C484516
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.501克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 343pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
UTC 2P50 是一款 P 沟道 MOS 场效应晶体管。它采用 UTC 的先进技术，为客户提供高开关速度和最低导通电阻。 UTC 2P50 适用于高压开关应用。
商品特性
- 当 VGS = -10V、ID = -1.0A 时，RDS(ON) ≤ 8.5Ω
- 高开关速度
- 低输入电容