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FDC5614P
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC5614P
- 商品编号
- C48167
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款60V P沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺,针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -3 A、-60 V。RDS(ON) = 0.105 Ω(VGS = -10 V时)
- RDS(ON) = 0.135 Ω(VGS = -4.5 V时)
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-DC-DC转换器-负载开关-电源管理
- 25121WF680LT4E
- XRP6658ISTR-F
- SI2333CDS-T1-GE3
- 0805W8F1691T5E
- FFC连接线 24P 间距1.0mm 长10CM 反向
- NSR0320MW2T1G
- TLC5615CDR
- 2510-16A
- MC74HC00ADR2G
- ATMEGA8L-8PU
- DAC8311IDCKT
- CLRC66301HN,551
- TLP104(TPL,E
- TLP161J(TPL,U,C,F)
- LMR14206XMKX/NOPB
- TLV809K33DBVR
- PIC16F1827T-I/SS
- 920-F52A2021S10108
- SPX3940AM3-L-3-3/TR
- TPD1E10B06DPYR
- ADS1220IPWR