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FDC5614P
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC5614P
- 商品编号
- C48167
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 759pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在4.5 V的栅源电压VGS下具有极低的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 栅极电阻RG 100%测试
- 无铅
应用领域
- 笔记本处理器电源的同步MOSFET
- 网络系统中隔离式DC - DC转换器的同步整流MOSFET