温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

BSS138

1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: BSS138
商品编号: C52895
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：220mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：27pF @ 25V
功率 - 最大值：360mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)

个

起订量：20 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交100+单

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	220mA
	导通电阻(RDS(on))	3.5Ω@10V,0.22A
	耗散功率(Pd)	360mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	2.4nC@25V
	输入电容(Ciss)	27pF@25V
	反向传输电容(Crss)	6pF
	工作温度	-55℃~+150℃