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BSS138
1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
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- 描述
- 这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS138
- 商品编号
- C52895
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@25V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- RDS(ON) = 6.0 Ω(VGS = 4.5 V时)
- 0.22 A、50 V。RDS(ON) = 3.5 Ω(VGS = 10 V时)
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 坚固可靠
- 紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用
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