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FQD20N06TM
1个N沟道 耐压:60V 电流:16.8A
- 描述
- N沟道,60V,16.8A,63mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD20N06TM
- 商品编号
- C53851
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 16.8 A、60 V,RDS(on) = 63 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 8.4 A
- 低栅极电荷(典型值11.5 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用
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