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FQD20N06TM

1个N沟道耐压:60V 电流:16.8A

描述: N沟道,60V,16.8A,63mΩ@10V
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FQD20N06TM
商品编号: C53851
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.438克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16.8A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：590pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	16.8A
	导通电阻(RDS(on))	63mΩ@10V,8.4A
	耗散功率(Pd)	38W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	15nC@48V
	输入电容(Ciss)	590pF@25V
	反向传输电容(Crss)	35pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃