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NTA4151PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:760mA
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- 描述
- 小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTA4151PT1G
- 商品编号
- C54876
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 301mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),提高效率并延长电池寿命
- 小外形封装(1.6 x 1.6 mm)
- SC-75标准鸥翼型封装
- 栅极具备静电防护
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-高端负载开关-DC-DC转换-小驱动电路-电池供电系统,如手机、个人数字助理、数码相机等