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NTA4151PT1G

1个P沟道耐压:20V 电流:760mA

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描述: 小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTA4151PT1G
商品编号: C54876
商品封装: SC-75(SOT-416)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.26克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：760mA（Tj）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：450mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：156pF @ 5V
功率 - 最大值：301mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SC-75，SOT-416

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	760mA
	导通电阻(RDS(on))	360mΩ@4.5V,350mA

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	301mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V
	栅极电荷量(Qg)	2.1nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	156pF@5V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)