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TPS28225DR

高频4A灌电流同步MOSFET驱动器

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描述: TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS28225DR
商品编号: C52897
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.173克(g)

商品参数

商品概述

TPS28225和TPS28226是用于N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器，具备自适应死区时间控制功能。这些驱动器针对各种大电流单相和多相直流-直流转换器应用进行了优化。TPS28225/6是一种高效、小尺寸且低电磁干扰（EMI）辐射的解决方案。该驱动器通过高达8.8V的栅极驱动电压、14ns的自适应死区时间控制、14ns的传播延迟以及2A源电流和4A灌电流的大电流驱动能力来实现高性能。下栅极驱动器的0.4Ω阻抗可将功率MOSFET的栅极电压保持在其阈值以下，确保在高dV/dt相节点转换时无直通电流。内部二极管对自举电容充电，使得N沟道MOSFET可用于半桥配置。 TPS28225/6具有一个三态PWM输入，与所有采用三态输出功能的多相控制器兼容。只要输入在250ns的保持时间内处于三态窗口内，驱动器就会将两个输出置为低电平。这种关断模式可防止负载出现反向输出电压。其他特性包括欠压锁定、热关断以及双向使能/电源正常信号。对于没有三态功能控制器的系统，可在关机期间使用使能/电源正常输入/输出将两个输出置为低电平。 TPS28225/6采用经济实惠的SOIC-8封装和散热性能增强的小尺寸双侧扁平无引脚（DFN-8）封装。该驱动器的工作温度范围扩展至-40℃至125℃，绝对最大结温为150℃。除输入欠压锁定功能外，TPS28226的工作方式与TPS28225/6相同。除非另有说明，所有关于TPS28225的描述也适用于TPS28226。

商品特性

以14ns自适应死区时间驱动两个N沟道MOSFET
宽栅极驱动电压：4.5V至8.8V，在7V至8V时效率最佳
宽电源系统输入电压：3V至27V
宽输入PWM信号：幅值2.0V至13.2V
能够驱动每相电流≥40A的MOSFET
高频工作：14ns传播延迟和10ns上升/下降时间，支持2MHz开关频率（FSW）
能够传输-30ns的输入PWM脉冲
低端驱动器灌电流导通电阻（0.4Ω）可防止与dV/dT相关的直通电流
用于功率级关断的三态PWM输入
同一引脚兼具节省空间的使能（输入）和电源正常（输出）信号
热关断
欠压锁定（UVLO）保护
内部自举二极管
经济实惠的SOIC-8封装和散热增强的3mm x 3mm DFN-8封装
可高性能替代流行的三态输入驱动器

应用领域

采用模拟或数字控制的多相直流-直流转换器
台式机和服务器电压调节模块（VRM）及增强型电压调节模块（EVRD）
便携式/笔记本电脑稳压器
隔离电源的同步整流

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交17单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	4.5V~8V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	传播延迟 tpLH	14ns
	传播延迟 tpHL	14ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	500uA