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FDS6990AS
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 描述
- N沟道,30V,7.5A,22mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6990AS
- 商品编号
- C51459
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
FDS6990AS旨在取代同步DC:DC电源中的双SO-8 MOSFET和两个肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高电源转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。每个MOSFET均采用单片SyncFET技术集成了肖特基二极管。FDS6990AS作为同步整流器中的低端开关的性能与FDS6990A与肖特基二极管并联的性能相似。
商品特性
- 7.5 A、30 V,RDS(ON) = 22 mΩ(VGS = 10 V时)
- RDS(ON) = 28 mΩ(VGS = 4.5 V时)
- 集成SyncFET肖特基二极管
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器