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AO4485

1个P沟道耐压:40V 电流:10A

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描述: P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V
品牌名称: AOS
商品型号: AO4485
商品编号: C51499
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.206克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3000pF @ 20V
功率 - 最大值：1.7W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@10V,10A
	耗散功率(Pd)	3.1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.7V
	栅极电荷量(Qg)	55nC@10V
	输入电容(Ciss)	3nF
	反向传输电容(Crss)	180pF
	工作温度	-55℃~+150℃