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IRF8736TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8736TRPBF
- 商品编号
- C51630
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 219pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 20A、60V，栅源电压为10V时，漏源导通电阻 = 0.06 Ω
- 低栅极电荷（典型值11.5 nC）
- 低Crss（典型值25 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 汽车
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品电源管理的高效开关