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IRF7205TRPBF
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A
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- 描述
- 大电流MOS管
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7205TRPBF
- 商品编号
- C55419
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第四代 HEXFET 采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8 封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和双芯片能力，使其成为各种功率应用的理想选择。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的 PCB 安装应用中，功率耗散可能超过 0.8W。
商品特性
~~- 先进的工艺技术-超低导通电阻-表面贴装-动态 dv/dt 额定值-快速开关-无铅