温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP60NF06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,60V,60A,14mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP60NF06L
- 商品编号
- C55455
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为电信和计算机应用中先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性表征
- 175°C工作范围
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐