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STD10PF06T4
停产 1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10PF06T4
- 商品编号
- C58267
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 典型RDS(on) = 0.18 Ω
- 出色的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 低栅极电荷
- 通孔IPAK（TO - 251）功率封装，采用管装（后缀“ - 1”）
- 表面贴装DPAK（TO - 252）功率封装，采用卷带包装（后缀“T4”）
应用领域
- 电机控制-DC-DC和DC-AC转换器