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DN2540N3-G

1个N沟道电流:120mA

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描述: 是低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有所有 MOS 结构的特性，无热失控和热致二次击穿问题。非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: DN2540N3-G
商品编号: C58418
商品封装: TO-92
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.22克(g)

商品参数

商品概述

Supertex DN2540是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 Supertex的垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

~~- 高输入阻抗-低输入电容-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流

应用领域

常开开关-固态继电器-转换器-线性放大器-恒流源-电源电路-电信

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	120mA
	导通电阻(RDS(on))	17Ω@0V
	耗散功率(Pd)	1W
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	300pF@25V
	反向传输电容(Crss)	1pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	12pF