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STP90NF03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- N沟道30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220低栅极电荷StripFET(TM) II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP90NF03L
- 商品编号
- C60612
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：47nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2700pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：47nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2700pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
优惠活动
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(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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